RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
72
73
Autour de 1% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
1,938.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
72
73
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,938.7
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
677
1724
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaison des RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link