RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
72
73
Около 1% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
73
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
1724
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link