RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
25.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
77
Около -196% меньшая задержка
Выше скорость записи
21.4
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
25.3
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
21.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
4252
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link