RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 25.3
    テスト平均値
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 77
    周辺 -196% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    21.4 left arrow 2,622.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    3,405.2 left arrow 25.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,622.0 left arrow 21.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    763 left arrow 4252

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
メモリRAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
メモリRAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
メモリRAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
メモリRAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
メモリRAM