RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Note globale
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
72
Autour de -95% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
1,938.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
72
37
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,938.7
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
677
2191
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaison des RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link