RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
72
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
2191
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link