RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
59
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
3579
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link