RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,256.8
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
64
Autour de -146% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
26
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
3204
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link