RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,256.8
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
64
Autour de -167% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
3800
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link