RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,256.8
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
64
Autour de -100% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
3385
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link