RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
64
Intorno -100% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
32
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
3385
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link