RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,256.8
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
64
Autour de -64% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
39
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
2651
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link