RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,256.8
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
64
Autour de -156% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
3774
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB Comparaison des RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link