RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,256.8
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
64
Autour de -78% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
2981
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M4A2133C11 4GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00. 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link