Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Note globale
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

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Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 16.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    62 left arrow 64
    Autour de -3% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    7.0 left arrow 2,256.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 6400
    Autour de 3 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    64 left arrow 62
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,651.3 left arrow 16.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,256.8 left arrow 7.0
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    837 left arrow 1808
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons