RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
64
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
62
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
1808
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link