RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,256.8
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
64
Autour de -146% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
26
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
3756
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link