Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    27 left arrow 42
    Autour de -56% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    19.1 left arrow 9.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    16.2 left arrow 6.0
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 10600
    Autour de 1.6 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    42 left arrow 27
  • Vitesse de lecture, GB/s
    9.7 left arrow 19.1
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    6.0 left arrow 16.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1396 left arrow 3784
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons