Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Средняя оценка

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Сообщить об ошибке

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 42

Около -56% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.1 9.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.2 6.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 27
Скорость чтения, Гб/сек

9.7 19.1
Скорость записи, Гб/сек

6.0 16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1396 3784

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB

Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

модули RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB

Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

модули RAM