RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
42
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
31
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
3318
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link