RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
42
Autour de -133% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.5
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
18
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
19.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
3704
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link