Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Средняя оценка

Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB

Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

18 42

Около -133% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20.1 9.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

19.5 6.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 18
Скорость чтения, Гб/сек

9.7 20.1
Скорость записи, Гб/сек

6.0 19.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1396 3704

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB

Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB

Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Kingston 9905701-132.A00G 16GB

Kingston 9905701-132.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB

Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB

Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Kingston KHX21334D4/8G 8GB

Kingston KHX21334D4/8G 8GB

модули RAM