RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
42
Autour de -24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
34
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
3055
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link