RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Comparez
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Note globale
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
77
Autour de -114% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
1,884.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
36
Vitesse de lecture, GB/s
2,936.9
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,884.0
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
564
3009
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link