RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
42
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
31
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
2577
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link