RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
42
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
29
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
3401
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link