RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
67
Autour de 37% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
67
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
2027
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link