RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
35
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
22
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2580
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC2P1-B1FS 2GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology C 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link