RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
42
Autour de -56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
27
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
2288
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston 99U5293-016.A00LF 1GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link