RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
42
Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
27
Velocità di lettura, GB/s
9.7
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
2288
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Segnala un bug
×
Bug description
Source link