RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
42
Autour de -121% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
19
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
3314
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link