RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
42
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
19
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
19.4
Скорость записи, Гб/сек
6.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3314
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link