RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
42
Autour de -83% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
23
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
2591
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link