RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2591
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link