RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
66
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
56
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
2455
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link