RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
2,978.2
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
66
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
56
Скорость чтения, Гб/сек
2,929.1
20.1
Скорость записи, Гб/сек
2,978.2
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
511
2455
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link