RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
10.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
56
66
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
56
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
2455
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link