RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3291
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link