RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3291
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link