RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
99
Autour de 72% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
99
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2226
1499
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link