RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
59
82
Autour de 28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
82
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
1930
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston KHX16 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link