RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
54
56
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.3
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
56
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
2200
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link