RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
56
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
56
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2200
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link