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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
比较
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
总分
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
56
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.3
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.7
1,308.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
56
读取速度,GB/s
3,573.5
9.3
写入速度,GB/s
1,308.1
7.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
371
2200
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
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G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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