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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
63
左右 -133% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
27
读取速度,GB/s
3,231.0
13.8
写入速度,GB/s
1,447.3
10.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2140
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
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