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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
11.4
14.4
写入速度,GB/s
7.4
10.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2497
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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INTENSO 5641152 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
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Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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