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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
59
82
左右 28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
82
读取速度,GB/s
4,833.8
12.3
写入速度,GB/s
2,123.3
11.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
1930
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
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