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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Raisons de considérer
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
42
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
3285
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
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