RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
51
Autour de -70% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
30
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3040
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link