RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Micron Technology 8G2666CL19 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
51
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
3040
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link